[发明专利]内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线无效
| 申请号: | 95116589.5 | 申请日: | 1995-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN1149204A | 公开(公告)日: | 1997-05-07 |
| 发明(设计)人: | 李毅;周庆明;周起才;陈刚 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
| 主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L21/00 |
| 代理公司: | 深圳市专利服务中心 | 代理人: | 张艺影 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明一种内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线,其特征在于,上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元,应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术即可生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池。本发明优点是可以工业化、系列化、大批量的进行生产;生产技术先进,技术含量高;工装设备投资少、风险小;无环境污染,有利于环保。 | ||
| 搜索关键词: | 内联 超薄 弱光 型非晶硅 光电池 生产线 | ||
【主权项】:
1.一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线,由超薄玻璃基片、复合透明电极、PIN非晶硅膜、铝背电极、封装保护层为结构和以电池各极层集成化设计、集成透明电极制备、集成非晶硅膜沉积、集成铝背电极制备、背电极测试等工艺而设计的,应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术,其特征在于,上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元,上述单元内设备分别为:a.在面积305mm×178mm,厚度0.5-1.1mm的超薄玻璃基片上制备已集成复合膜透明电极,用磁控溅射、化学汽相沉积、激光在所述玻璃基片上形成集成透明电极,集成透明电极制造单元,包括使用ITO磁控溅射镀膜机、化学汽相沉积氧化锡沉积炉、清洗干燥机、集成透明电极激光刻划机;b.将上述已集成复合膜透明电极玻璃基片,应用等离子体沉积技术形成光电池主体结构的集成非晶硅膜制造单元,包括非晶硅沉积预热炉、计算机程序控制沉积工艺非晶硅薄膜沉积炉及由电脑控制的非晶硅激光刻划机;c.上述集成非晶硅膜基片的集成铝背电极制造单元包括铝蒸镀机、集成铝背电极激光机、集成背漆字符丝印机、集成可焊电极丝印机及丝网模具所组成;d.上述制造而成的光电池切片测试单元,包括电池片切片机、电池片测试机。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





