[发明专利]内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线

权利要求书

1.一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，由超薄玻璃基片、复合透明电极、PIN非晶硅膜、铝背电极、封装保护层为结构和以电池各极层集成化设计、集成透明电极制备、集成非晶硅膜沉积、集成铝背电极制备、背电极测试等工艺而设计的，应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术，其特征在于，上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元，上述单元内设备分别为：

a.在面积305mm×178mm，厚度0.5-1.1mm的超薄玻璃基片上制备已集成复合膜透明电极，用磁控溅射、化学汽相沉积、激光在所述玻璃基片上形成集成透明电极，集成透明电极制造单元，包括使用ITO磁控溅射镀膜机、化学汽相沉积氧化锡沉积炉、清洗干燥机、集成透明电极激光刻划机；

b.将上述已集成复合膜透明电极玻璃基片，应用等离子体沉积技术形成光电池主体结构的集成非晶硅膜制造单元，包括非晶硅沉积预热炉、计算机程序控制沉积工艺非晶硅薄膜沉积炉及由电脑控制的非晶硅激光刻划机；

c.上述集成非晶硅膜基片的集成铝背电极制造单元包括铝蒸镀机、集成铝背电极激光机、集成背漆字符丝印机、集成可焊电极丝印机及丝网模具所组成；

d.上述制造而成的光电池切片测试单元，包括电池片切片机、电池片测试机。

2.根据权利要求l一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于，所述集成透明电极制造单元是一全自动立式磁控溅射镀膜机在上述玻璃基片上溅射IT0导电膜，用一大面积二氧化锡CVD沉积炉沉积二氧化硅薄膜，且由电脑控制X-Y伺服平台、大功率YAG激光器、电脑、大功率驱动器所组的集成透明电极激光刻划机，刻划透明电极集成图形；

集成非晶硅膜制造单元在超薄基片透明电极膜上沉积PIN三层厚度4000A的集成非晶硅薄膜，形成光电池的主体  由加热器及烘箱组成的非晶硅沉积预热炉和大面积非晶硅沉积炉由六室真空沉积、六个装置沉积基片的沉积夹具、真空系统、计算机控制系统及控制软件、大功率RF射频发生器及各种管道组成非晶硅薄膜沉积炉；    

集成铝背电极制造单元，用大面积真空蒸铝机将所述非晶硅膜表面上蒸镀一层铝膜，由激光光刻机集成铝背电极成图形；

切片测试单元将已印好保护漆、字符及电极引出点后的集成光电池大面积基片切割为单体光电池小芯片，电池切片机，该机由电气控制柜、编程器、显微摄像定位系统、基准边定位系统、光尺检测系统、运动刀架、工作转盘、气动系统、真空负压系统及机架所组成，电性能测试机由测试头、送片器、光源测试箱、计算机测试控制系统组成。

3.根据权要求1或2所述的一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于上述集成非晶硅膜制造单元的非晶硅沉积预热炉是由一装有10KW加热器体积1立方米的烘箱内装六个沉积夹具，沉积夹具有吸附构件，在沉积夹具的中心电极板和负极板装置超薄玻璃基片面上，铣出五个宽度2mm、深度1.5mm的梳状吸附沟槽，每个梳状槽抽气口与真空管道密封连通，正、负极板真空管道绝缘连接在一起，接口可与沉积炉真空管道快速接口相接。

4.根据权要求1所述的一种生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于为防止将光电池集成片切割为单体电池时发生边缘短路现象，在透明电极集成图形中特设计了激光切割边缘保护线。

5.一种内联式超薄弱光型非晶硅光电池，其特征是：在电极集成图形是305mm×178mm玻璃基片的透明导电膜上，纵向由一组m条激光切割直线，排列n1组纵向激光切割线，每组相隔一定距离，横向由一排2条横向激光切割直线，横向排列n2排横向激光切割直线，由m个矩形方块构成单体电池透明电极，排列n1×n2个单体电池透明电极组成的内联结构的透明电极集成图形。