[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 95106027.9 | 申请日： | 1995-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1088911C | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 水野文二;冈田健治;中山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318;H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的棚电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体装置的制造方法，包括：图形化膜形成工序，用于在低于250℃的温度下通过一边在有杂质层的半导体基片上照射电子束一边导入功能性气体，在上述半导体基片上形成图象化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
