[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 95106027.9 | 申请日： | 1995-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1088911C | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 水野文二;冈田健治;中山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318;H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.半导体装置的制造方法，包括：
图形化膜形成工序，用于在低于250℃的温度下通过一边在有杂质层的半导体基片上照射电子束一边导入功能性气体，在上述半导体基片上形成图象化膜。
2.半导体装置的制造方法，包括：
图形化层形成工序，用于通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片上照射电子束一边导入功能性气体，在半导体基片上形成由与半导体基片的主要成分不同的原子或分子组成的图形化层。
3.半导体装置的制造方法，包括下列步骤：
通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在半导体基片上形成将成为沟道区的杂质层的工序；
通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在上述杂质层上边形成将成为栅极绝缘膜的绝缘层的工序；
通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片照射电离射线或光线、一边导入功能性气体而在上述绝缘层上形成将成为栅极电极的导电层的工序；
在低于250℃的温度下，在上述导电层的上边形成覆盖栅极形成区的光刻胶图形的工序；
在低于250℃的温度下，通过以上述光刻胶图形为掩模对上述导电层进行刻蚀形成由上述导电层构成的栅极电极和由上述绝缘层构成的栅极绝缘膜的工序；
在低于250℃的温度下，通过以上述栅极电极为掩模对上述杂质层进行刻蚀形成由上述杂质层构成的沟道区的工序；和
在低于250℃的温度下，通过一边向半导体基片照射电离射线或光线一边导入功能性气体而在半导体基片上的上述沟道区两侧形成源极电极和漏极电极的工序。
4.半导体装置的制造方法，包括下述工序：
在半导体基片上形成光刻胶图形的光刻胶图形形成工序；
在低于250℃的温度下，通过一边向半导体基片照射X射线或γ射线一边导入功能性气体而在未形成上述光刻胶图形区域处的半导体基片上形成外延生长膜的生长膜形成工序；
通过除去上述光刻胶图形形成由上述外延生长膜构成的图形化生长膜的生长膜图形形成工序。
5.半导体装置的制造方法，包括下述步骤：
在低于250℃的温度下，通过一边向有杂质层的半导体基片照射X射线或γ射线一边在上述半导体基片上导入功能性气体而在上述半导体基片上形成膜。
6.半导体装置的制造方法，包括下述工序：
在低于250℃的温度下，通过一边向半导体基片照射X射线或γ射线一边在上述半导体基片上导入功能性气体而在上述半导体基片上形成层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
