[发明专利]发光二极管结构在审
| 申请号： | 95105927.0 | 申请日： | 1995-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1137689A | 公开（公告）日： | 1996-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黄国欣;陈泽澎 | 申请（专利权）人： | 黄国欣;陈泽澎 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 台湾省新竹市东*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中的一种制造技术，其二极管的结构包含一第一导电型的砷化镓基板，基板上成长一第一导电型的磷化铝镓铟限制层，再成长一多重量子井结构，接着成长一第二导电型的磷化铝镓铟限制层，最后成长一由两层带第二导电型的材料组成的窗户层，该二极管结构的一种变化是在成长第一导电型限制层前先成长一第一导电型的分散布拉格反射层，再成长限制层。本发明发光强度大和发光衰减率低，因此具有实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的结构，其特征在于它包含有：一个具有第一导电型的砷化镓基板，该基板的背面有第一电极；一个成长于基板上的第一导电型磷化铝镓铟限制层；一个成长于该限制层上的多重量子井结构，该量子井结构包含有由磷化铝镓铟(AlGa)InP组成的多重量子井层和障壁层；一个具有第二导电型的磷化铝镓铟限制层形成于该量子井结构上；一个具有两层材料组成的第二导电型窗户层结构形成在第二导电型的限制层上，该窗户层结构的第一层较薄，其材料为低能隙高导电性的半导体材料，该窗户层结构的第二层较厚，其组成为高能隙透光的磷化镓并掺入少量的铟；以及一个在该窗户层结构上的第二电极。
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