[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1、一种发光二极管的结构，其特征在于它包含有：一个具有第一导电型的砷化镓基板，该基板的背面有第一电极；一个成长于基板上的第一导电型磷化铝镓铟限制层；一个成长于该限制层上的多重量子井结构，该量子井结构包含有由磷化铝镓铟(AlGa)InP组成的多重量子井层和障壁层；一个具有第二导电型的磷化铝镓铟限制层形成于该量子井结构上；一个具有两层材料组成的第二导电型窗户层结构形成在第二导电型的限制层上，该窗户层结构的第一层较薄，其材料为低能隙高导电性的半导体材料，该窗户层结构的第二层较厚，其组成为高能隙透光的磷化镓并掺入少量的铟；以及一个在该窗户层结构上的第二电极。

2、按照权利要求1所说的发光二极管结构，其特征在于所说的量子井结构，其两旁各有一层固定组成的间隔层。

3、按照权利要求2所说的发光二极管结构，其特征在于所说的间隔层，也可以是线性渐变组成，还可以是抛物线方式渐变组成。

4、按照权利要求1所说的发光二极管结构，其特征在于所说的量子井结构，可以是具应变的多重量子井结构，该量子井结构中的量子井层或障壁层具有应变，或量子井层与障壁层两者同时具有应变。

5、按照权利要求1所说的发光二极管结构，其特征在于所说的窗户层结构，其第一层半导体材料，可以是砷化镓或磷化铟镓材料。

6、一种发光二极管的结构，其特征在于它包含有：一个具有第一导电型的砷化镓基板，该基板的背面具有第一电极；一个具有第一导电型的分散式布拉格反射层形成于该基板上；一层成长在该反射板的第一导电型磷化铝镓铟限制层；一个多重量子井结构成长于该限制层上，该量子结构包含有磷化铝镓铟(AlGa)InP组成的多重量子井层和障壁层；一个具有第二导电型的磷化铝镓铟限制层形成于该量子井结构上；一个具有两层材料的第二导电型窗户层结构在该第二导电型的限制层上，该窗户层结构的第一层较薄，其材料为低能隙高导电性的半导体材料，该窗户层结构的第二层较厚，其组成为高能隙透光的磷化镓并掺入少量的铟；以及一个在该窗户层结构上的第二电极。

7、按照权利要求6所说的发光二极管结构，其特征在于所说的量子井结构两旁各有一层间隔层。

8、按照权利要求7所说的发光二极管结构，其特征在于所说的间隔层，其组成可以是固定组成，线性渐变组成，也可以是抛物线方式渐变组成。

9、按照权利要求6所说的发光二极管结构，其特征在于所说的量子井结构为具有应变的多重量子井结构，该量子井结构的量子井层或障壁层，或量子井层与障壁层两者同时具有应变。

10、按照权利要求6所说的发光二极管结构，其特征在于所说的窗户层，其结构的第一层半导体材料可以是砷化镓或磷化铟镓材料。