[发明专利]非易失性半导体存储器无效

专利信息
申请号: 95105048.6 申请日: 1995-04-27
公开(公告)号: CN1038075C 公开(公告)日: 1998-04-15
发明(设计)人: 山崎昭浩 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;H01L29/78
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种具有自动功能的非易失性半导体存储器,可提高对不能从外部控制其动作的存储器内的缺陷的检测率。其测试模式控制部分29在测试模式时根据外部供给的设定信号生成检验信号FVOK、FVNG并且这些检验信号控制逻辑电路27。因此,可以把控制部分24供给的检验信号强制性地设定为所需状态。由于和检验电路21的检验信号无关地设定复做次数,故可跟踪构成控制部分24和计数器25的所有电路,因而可以确切地检测出内在的缺陷。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储器,具有用于向非易失性存储单元写入数据的写入装置和用于擦除已写入上述非易失性存储单元中的数据的擦除装置,其特征在于包括:检验装置,用于检验用上述写入装置写入的数据和用擦除装置擦除的数据,并输出表示数据的写入或擦除是否正常进行完毕的检验信号;控制装置,用于根据从上述检验装置输出的检验信号对写入装置或擦除装置进行控制;计数装置,它连于上述控制装置上,并对用上述写入装置进行的写入次数或用上述擦除装置进行的擦除次数计数;以及变更装置,它连接在上述控制装置和检验装置互相之间,在测试模式时,强制性地变更由上述检验装置输出的检验信号。
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