[发明专利]非易失性半导体存储器

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器，具有用于向非易失性存储单元写入数据的写入装置和用于擦除已写入上述非易失性存储单元中的数据的擦除装置，其特征在于包括：

检验装置，用于检验用上述写入装置写入的数据和用擦除装置擦除的数据，并输出表示数据的写入或擦除是否正常进行完毕的检验信号；

控制装置，用于根据从上述检验装置输出的检验信号对写入装置或擦除装置进行控制；

计数装置，它连于上述控制装置上，并对用上述写入装置进行的写入次数或用上述擦除装置进行的擦除次数计数；以及

变更装置，它连接在上述控制装置和检验装置互相之间，在测试模式时，强制性地变更由上述检验装置输出的检验信号。

2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于：上述变更装置具有生成装置，这种生成装置根据在测试模式时外部供给的信号，生成强制性地变更检验信号的变更信号。

3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于：上述变更装置由在测试模式时从外部供给、且使检验信号强制性地进行变更的变更信号进行控制。

4.如权利要求2所述的非易失性半导体存储器，其特征在于：上述生成装置具备有：

检测装置，用于检测表示外部供给的测试模式的信号；

保持装置，用于在上述检测装置检测出测试模式时保持设定信号，此设定信号对外部供给的检验信号的变更进行设定；

产生装置，用于根据上述保持装置所保持的设定信号产生强制性地使上述检验信号变更的变更信号。

5.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器，其特征在于：选择装置与上述控制装置相连，且此选择装置在通常模式时选择内部时钟振荡器输出的时钟信号，在测试模式时选择外部供给的时钟信号。