[发明专利]为改善磁控管内等离子体均匀度的多个阳极的使用无效

专利信息
申请号: 95103490.1 申请日: 1995-03-23
公开(公告)号: CN1134032A 公开(公告)日: 1996-10-23
发明(设计)人: P·A·西克;R·纽康布;T·A·特龙布里;S·C·舒尔茨 申请(专利权)人: 美国BOC氧气集团有限公司
主分类号: H01J23/00 分类号: H01J23/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,马铁良
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在一组实施例中,将两个或更多小阳极彼此相隔地置于一磁控管中并对它们的电功率的某些特征进行各个控制以控制等离子体的密度分布形态。在另一组实施例中,同样效果是通过机械移动一个或多个小阳极或阳极掩模而获得。当用于或有旋转圆筒阴极或有静止平面阴极并为在衬底上溅射材料薄膜而设计的磁控管时,改善了在衬底上的淀积率的均匀度。同样减小了溅射电介质材料的有害影响。
搜索关键词: 改善 磁控管内 等离子体 均匀 阳极 使用
【主权项】:
1.在一真空室(27)范围内用于将材料薄膜溅射到正沿其路径通过的移动衬底(19)上的设备,包括:圆筒形靶表面(17),该靶表面可绕其一长度方向轴线(15)旋转,轴线(15)为横向延伸通过所述衬底路径而取向,所述靶表面包括其内面向所述路径的磁铁(25),并保持在负电压下,从而界定在靶和沿圆筒形靶长度延伸的衬底路径之间的淀积区(35),和包括邻近靶表面并从电源(37)连接到正电压的至少一个阳极(51;53,55;109;115;119;121)的装置,用于调整在所述淀积区上对衬底淀积所述材料的淀积率分布型态(41)。
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