[发明专利]为改善磁控管内等离子体均匀度的多个阳极的使用

权利要求书

1.在一真空室(27)范围内用于将材料薄膜溅射到正沿其路径通过的移动衬底(19)上的设备，包括：

圆筒形靶表面(17)，该靶表面可绕其一长度方向轴线(15)旋转，轴线(15)为横向延伸通过所述衬底路径而取向，所述靶表面包括其内面向所述路径的磁铁(25)，并保持在负电压下，从而界定在靶和沿圆筒形靶长度延伸的衬底路径之间的淀积区(35)，和

包括邻近靶表面并从电源(37)连接到正电压的至少一个阳极(51；53，55；109；115；119；121)的装置，用于调整在所述淀积区上对衬底淀积所述材料的淀积率分布型态(41)。

2.如权利要求1的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置包括用于在所述靶表面长度方向轴线(15)方向上物理地移动至少一个阳极(109)的装置(111，113)。

3.如权利要求1的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置包括为掩盖所述至少一个阳极(115；120，121)而安置的至少一块挡板(119；123，125)和响应控制信号用于调整所述阳极被所述挡板覆盖的量的装置(111，113；127，129)。

4.如权利要求1的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置包括两个或更多分隔阳极(53，55；120，121)，这些阳极在所述靶表面长度方向轴线(15)方向上保持相隔。

5.如权利要求4的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置另外包括响应控制信号，用于按时序物理地覆盖两个或多个分隔阳极(120，121)的每一个以使实质上所有时间仅暴露一个阳极的装置(127，129)。

6.如权利要求4的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置另外包括将所述阳极(53，55)与所述电源内连的装置(73)，用于独立地控制加到各阳极的功率。

7.如权利要求4的设备，其特征在于：所述淀积率分布型态调整装置另外包括用于独立调整通过各个所述两或多个阳极(53，55)的电流的装置(73；59；61；123，125)。

8.如权利要求7的设备，其特征在于：所述电源调整装置包括将生产气体导入真空室邻近所述两或多个阳极(53，55)的表面的装置(59，61)，用于调整传送到每个阳极的气体相对量。

9.一种从一连接到负电压源(73)并位于导入一种气体的真空室(27)内的靶将电介质薄膜溅射到衬底(19)上的方法，其中形成沿一个方向的衬底和以与所述一个方向正交方向(15)穿过所述衬底的靶之间的相对移动，所述方法包括以下步骤：

在就沿所述正交方向(15)的靶来说的不同位置，安置至少两个相距一定距离的相隔阳极(53，55)，和

对所述至少两个阳极的每一个独立控制正电压(73)的电功率，从而控制衬底上以所述正交方向的溅射薄膜的速率分布型态(41)。

10.根据权利要求9的方法，其特征在于：所述功率控制步骤包括一次一个地依次激励(图8)所述至少两阳极的各对和以足以在衬底(11)一给定位置通过一个在衬底上进行薄膜淀积的区(35)的同时使所述阳极各被如此激励至少五次的速率轮流地激励所述至少两阳极的每一个。