[发明专利]曝光方法及其装置无效
| 申请号: | 95103125.2 | 申请日: | 1995-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN1120683A | 公开(公告)日: | 1996-04-17 |
| 发明(设计)人: | 井上隆史;长野宽之;石井好道 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 黄依文 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 曝光方法及其装置,从掩模上方用光束照射与基片靠近保持着的掩模,将掩模图案转印到基片的感光层上,包括如下步骤用间隙测量装置测量被局部扫描和照射的掩模部分和被局部照射的基片部分之间的间隙;比较该间隙测定值和设定值;按测定值和设定值之差使掩模和/或基片局部变形以使该间隙趋向预定值。不必使用大口径的聚光透镜,可使装置小型化、降低成本,并可在整个区域获得高析像度的曝光。 | ||
| 搜索关键词: | 曝光 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种将基片(20)和掩模(21)靠近对置支承,从掩模上方照射照明光,将掩模图案转印在基片的感光层上的贴近曝光方法,其特征在于包括如下步骤:用间隙计测装置对被局部扫描和照射的掩模部分和被局部照射的基片部分之间的间隙进行测量;比较间隙计测装置的测定值和设定值;按间隙计测装置的所述测定值与设定值之差使掩模和基片的两者之一或双方产生局部变形,以使所述间隙局部性接近规定的值,在此状态进行曝光。
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