[发明专利]曝光方法及其装置

权利要求书

1.一种将基片(20)和掩模(21)靠近对置支承，从掩模上方照射照明光，将掩模图案转印在基片的感光层上的贴近曝光方法，其特征在于包括如下步骤：用间隙计测装置对被局部扫描和照射的掩模部分和被局部照射的基片部分之间的间隙进行测量；比较间隙计测装置的测定值和设定值；按间隙计测装置的所述测定值与设定值之差使掩模和基片的两者之一或双方产生局部变形，以使所述间隙局部性接近规定的值，在此状态进行曝光。

2.如权利要求1所述的贴近曝光方法，其特征在于，与局部照明部(6)的扫描同步地边使掩模和基片的相对位置作微小移动边进行曝光。

3.如权利要求1或2所述的贴近曝光方法，其特征在于，从局部照明部照射出的光束的截面形状相对扫描方向是对称的梯形，在相邻扫描路径的交界处使照射区局部重叠进行曝光。

4.如权利要求1或2所述的贴近曝光方法，其特征在于，从局部照明部照射出的光束在与扫描方向垂直方向的照度分布在光束的两端平滑地减少，在相邻扫描路径的交界处，使照射区局部重叠进行曝光。

5.如权利要求1所述的贴近曝光方法，其特征在于，所述掩模受空气压力的推压而按所述测定值与设定值之差发生向下的局部性变形。

6.如权利要求1所述的贴近曝光方法，其特征在于，所述掩模受吸引而按所述测定值与设定值之差发生向上的局部性变形。

7.如权利要求1所述的贴近曝光方法，其特征在于，所述基片受推压装置(27、28)的推压而按所述测定值与设定值之差发生向上的局部性变形。

8.一种将基片(20)和掩模(21)相对置支承、从掩模上方照射照明光、将掩模图案曝光转印在基片上的曝光装置，其特征在于，包括：在掩模上方进行扫描并设有用静压使所述掩模局部性挠曲而使掩模和基片相互靠近的掩模变形装置的局部照明部(6)；对局部照明部的照明光照射部分的掩模和基片的间隙进行测定的间隙计测装置(9)；根据间隙计测装置的测定值和设定值控制掩模变形装置的控制装置(37)。

9.如权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，在掩模变形装置的外周部分，设有向掩模喷出空气将掩模局部性向下推的空气喷出装置(36)。

10.如权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，在掩模变形装置的周围，设有利用负压将掩模局部性向上吸的吸引装置(35)。

11.一种如权利要求8所述的贴近曝光装置，其特征在于，还包括：调整掩模和基片的间隙的间隙调整装置(14、215)；

与局部照明装置同步地进行扫描以便对局部照明装置的照射部分处的掩模的基准面高度进行检测的、设于掩模侧的掩模面计测装置(90)；

与局部照明装置同步地进行扫描以便对所述照射部分处的基片的基准面高度进行检测的、设于基片侧的基片面计测装置(210)；

用由间隙计测装置获得的间隙测定值对掩模面计测装置所测得的掩模面测定值和基片面计测装置所测得的基片面测定值之差进行校正，并根据所述掩模面测定值和所述基片面测定值间接求出掩模和基片的间隙，再根据该间接求出的间隙值和设定值控制所述间隙调整装置的控制装置(37)。

12.如权利要求11所述的贴近曝光装置，其特征在于，所述掩模面计测装置和基片面计测装置相结合构成所述的间隙计测装置。

13.如权利要求12所述的贴近曝光装置，其特征在于，所述掩模面计测装置和基片面计测装置分别由激光反射式计测器所组成。

14.一种将基片(20)和掩模(21)相对置支承、从掩模上方照射照明光、将掩模图案曝光转印在基片上的曝光装置，其特征在于，包括：在掩模上方进行扫描的局部照明部(6)；对局部照明部的照明光照射部分的掩模和基片的间隙进行测定的间隙计测装置(9)；吸附保持基片并设有使基片的照明光照射部分上下微动而局部性接近掩模的微动装置(28)的夹盘(26)；根据间隙计测装置的测定值和设定值控制微动装置的控制装置(37)。