[发明专利]具有偏置栅极结构的薄膜晶体管的制造方法

摘要

以形成在半导体膜之上的栅电极内掩模，把杂质离子注入半导体膜。之后，在包括栅电极的基片上形成光刻胶膜。从栅电极后背使栅电极上的光刻胶膜曝光。按此自对准方法，形成宽度窄于栅电极的光刻胶图形。然后以光刻胶图形为掩模，通过腐蚀使栅电极变窄，从而获得膜晶体管的偏置栅极结构。$#!

主权项

1．一种具有偏置栅极结构的晶体管的制造方法，其中偏置区形成在栅电极与源区之间、以及栅电极与漏区之间，包括以下步骤：在由绝缘材料形成的、或者其表面上具有绝缘膜的基片顶表面上，按顺序形成半导体膜、栅绝缘膜和栅电极；以所述栅电极为掩模，在所述半导体膜中掺杂杂质离子，由此在半导体膜中形成源区和漏区；在包括所述栅电极和栅绝缘膜的整个表面上形成光刻胶膜；其特征在于，从所述基片背侧对所述光刻胶膜曝光，形成宽度小于所述栅电极宽度的光刻胶图形，以所述光刻胶图形作为掩模，腐蚀所述栅电极的两侧表面，由此在所述栅电极与所述源区和漏区中的每一个之间形成特定宽度的偏置区。