[发明专利]具有偏置栅极结构的薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1．一种具有偏置栅极结构的晶体管的制造方法，其中偏置区形成在栅电极与源区之间、以及栅电极与漏区之间，包括以下步骤：

在由绝缘材料形成的、或者其表面上具有绝缘膜的基片顶表面上，按顺序形成半导体膜、栅绝缘膜和栅电极；

以所述栅电极为掩模，在所述半导体膜中掺杂杂质离子，由此在半导体膜中形成源区和漏区；

在包括所述栅电极和栅绝缘膜的整个表面上形成光刻胶膜；

其特征在于，

从所述基片背侧对所述光刻胶膜曝光，形成宽度小于所述栅电极宽度的光刻胶图形，

以所述光刻胶图形作为掩模，腐蚀所述栅电极的两侧表面，由此在所述栅电极与所述源区和漏区中的每一个之间形成特定宽度的偏置区。

2．根据权利要求1的晶体管制造方法，其特征在于，所述半导体膜是本征半导体膜。

3．根据权利要求1的晶体管制造方法，其特征在于，通过控制对所述光刻胶膜的曝光时间，来控制所述偏置区的宽度。

4．根据权利要求1的晶体管制造方法，其特征在于，通过控制对所述光刻胶膜的显影时间，来控制所述偏置区的宽度。

5．根据权利要求1的晶体管制造方法，其特征在于，通过控制对所述栅电极的腐蚀时间，来控制所述偏置区的宽度。

6．根据权利要求1的晶体管制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在形成所述偏置区的步骤之后，以所述栅电极为掩模，按低于在所述源区和漏区已掺杂的杂质离子浓度的浓度，在所述半导体膜中掺杂杂质离子。