[发明专利]半导体存储装置

摘要

在一个半导体存储装置中，不受制作工艺起波的影响，实现高速的数据放大。公用数据线对的电位被差分放大器的电流负反馈设定在基准电压。以此方式降低了公用数据线对内的信号幅度。用负反馈环内的晶体管将来自存储单元的电流转变为电压。即使差分放大器的偏置电压有起伏，也可以降低公用数据线对内的信号幅度，以低电功耗实现高速数据放大。

主权项

1．半导体存储装置，包括多个存储单元；多个与所述的多个存储单元相连接的数据线对；其特征在于还包括：一对与所述的多个数据线对相连接的公用数据线对；第1差分放大器，其正输入端与所述的公用数据线对之一相连接，而基准电压施加于它的负输入端；第2差分放大器，其正输入端与所述的公用数据线对的另一数据线相连接，而所述的基准电压施加于它的负输入端；第1晶体管，其输入电极与所述的第1差分放大器的输出相连接，而其输出电极与所述的公用数据线对之一相连接；以及第2晶体管，其输入电极与所述的第2差分放大器的输出相连接，而其输出电极与所述的公用数据线对的另一数据线相连接。