[发明专利]钛酸镁薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种钛酸镁薄膜的制备方法，采用金属有机化学汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）工艺将钛源和镁源加热挥发，用氩气（或氮气）为载气携带挥发的钛源和镁源通入生长室里，同时将稀释气体氩（或氮）和氧气通入生长室内，生长室内放有衬底，对生长室加热，在常压或低压情况下在衬底上制得钛酸镁薄膜。本发明工艺设备简单，易操作，可在多种衬底上制备钛酸镁薄膜，薄膜生长周期短、制得的薄膜均匀，致密，表面光滑，介电性能良好，该薄膜在高温超导器件、微波器件及集成光学诸领域有广阔地应用前景。$＃!

主权项

1.一种钛酸镁薄膜的制备方法，选MgO、Si单晶、SiO2、Al2O3单晶、LaAlO3或YSZ作衬底、以氩气为稀释气体和载气、选钛源为异丙氧基钛(Ti[OCH(CH3)2]4)、镁源选用乙酰丙酮镁或三甲基乙酸镁，以氧气为氧化剂，其特征是将钛源和镁源分别放入钛源挥发器和镁源挥发器中加热使其挥发，用载气氩分别携带挥发的钛源和镁源，经流量控制器通入放置有衬底的薄膜生长室内；同时经流量控制器分别将稀释气体氩和氧气通入生长室内，通气时生长室温度加热至600～800℃，生长时间为0.5～4小时，整个生长过程在常压状态下或在低压状态下进行，随后停止加热和通气，自然冷却至室温，在衬底上制成钛酸镁薄膜。