[发明专利]钛酸镁薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种钛酸镁薄膜的制备方法，选MgO、Si单晶、SiO₂、Al₂O₃单晶、LaAlO₃或YSZ作衬底、以氩气为稀释气体和载气、选钛源为异丙氧基钛(Ti[OCH(CH₃)₂]₄)、镁源选用乙酰丙酮镁或三甲基乙酸镁，以氧气为氧化剂，其特征是将钛源和镁源分别放入钛源挥发器和镁源挥发器中加热使其挥发，用载气氩分别携带挥发的钛源和镁源，经流量控制器通入放置有衬底的薄膜生长室内；同时经流量控制器分别将稀释气体氩和氧气通入生长室内，通气时生长室温度加热至600～800℃，生长时间为0.5～4小时，整个生长过程在常压状态下或在低压状态下进行，随后停止加热和通气，自然冷却至室温，在衬底上制成钛酸镁薄膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的钛源挥发器加热温度为48～65℃。

3.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的镁源为乙酰丙酮镁时，镁源挥发器加热温度为220～280℃。

4.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的镁源为三甲基乙酸镁时，镁源挥发器加热温度为270～330℃。

5.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述用氩气携带挥发的钛源流量控制在50～250毫升/分。

6.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述用氩气携带挥发的镁源流量控制在100～400毫升/分。

7.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的通入生长室的稀释氩气流量控制在700～2000毫升/分。

8.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的通入生长室的氧气流量控制在500～1500毫升/分。

9.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征为所述的低压状态生长过程时生长室气压为5～10torr。