[发明专利]有机硅烷激光气相合成硅基超细粉无效
| 申请号： | 94110393.5 | 申请日： | 1994-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1038124C | 公开（公告）日： | 1998-04-22 |
| 发明（设计）人： | 梁勇;李亚利;郑丰;肖克沈;线全刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C01B21/06 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于以有机硅烷为主体反应物，以氢和／或氨为附加反应气，在下述工艺条件下激光功率密度（Ｐ）５００～６０００Ｗ/cm2,反应压力(Pe)0.2～1atm,反应总气流量(Φt)1200～6000cm3/min,反应时间(t)0.2～4ms,反应温度(T)600～1800℃,合成硅基超细粉。用该方法可大幅度降低成本，高质量地合成硅基超细粉。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 硅烷 激光 相合 成硅基超细粉 | ||
【主权项】：
1.一种激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：——以有机硅烷为主体反应物，其结构通式为：(Ra1Rb2Si)2NR3，其中Ra1、Rb2、R3均为烷烃基或氢，a、b为烷基或氢的个数，a+b＝3；——以氢和/或氨为附加反应气，主体反应物与附加反应气的摩尔比为：1∶1～10；——在下述工艺条件下激光气相合成硅基超细粉：激光功率密度(P)：500～6000W/cm2反应压力(Pe)：0.2～1atm反应总气流量(φt)：1200～6000cm3/min反应时间(t)：0.2～4ms反应温度(T)：600～1800℃
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