[发明专利]有机硅烷激光气相合成硅基超细粉无效
| 申请号： | 94110393.5 | 申请日： | 1994-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1038124C | 公开（公告）日： | 1998-04-22 |
| 发明（设计）人： | 梁勇;李亚利;郑丰;肖克沈;线全刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C01B21/06 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 硅烷 激光 相合 成硅基超细粉 | ||
1.一种激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：
——以有机硅烷为主体反应物，其结构通式为：(Ra1Rb2Si)2NR3，其中Ra1、Rb2、R3均为烷烃基或氢，a、b为烷基或氢的个数，a+b＝3；
——以氢和/或氨为附加反应气，主体反应物与附加反应气的摩尔比为：1∶1～10；
——在下述工艺条件下激光气相合成硅基超细粉：
激光功率密度(P)：500～6000W/cm2
反应压力(Pe)：0.2～1atm
反应总气流量(φt)：1200～6000cm3/min
反应时间(t)：0.2～4ms
反应温度(T)：600～1800℃
2.按权利要求1所述激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：当反应温度950～1100℃，反应时间1.2～1.6ms，有机硅烷与氨气摩尔比为1∶1～6时，可生成Si3N4纳米超细粉。
3.按权利要求1所述激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：当反应温度650～950℃，反应时间0.6～1.5ms时，生成非晶Si/N/C粉。
4.按权利要求1所述激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：当反应温度在1000～1300℃，反应时间为1.6～2.4ms时，生成Si/N/C与β-SiC混合粉。
5.按权利要求1所述激光气相合成硅基超细粉的方法，其特征在于：当反应温度1400～1800℃，反应时间1.5～4ms时，有机硅烷与氢气摩尔比为1∶5～10时，生成SiC超细粉。
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