[发明专利]提供和集成电路的电接触的引线架和集成电路封装无效
| 申请号： | 94108013.7 | 申请日： | 1994-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1050935C | 公开（公告）日： | 2000-03-29 |
| 发明（设计）人： | Ｊ·Ａ·阿比斯;Ｉ·Ｖ·卡迪扎;Ｅ·Ｊ·库德拉克;Ｊ·Ｊ·梅桑诺 | 申请（专利权）人： | 美国电话及电报公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;C23C14/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,肖掬昌 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 带引线架的封装器件、引线架及含基底金属及其上的镀层、镍层上的复合金属保护层的制品。复合层包括自镍层起依次为钯或软金沉积层、钯镍合金层、钯层及金层。钯或软金沉积层起接合层作用，并促进后续层减少孔隙度。Ｐｄ－Ｎｉ层对基底金属离子起陷阱作用，Ｐｄ层对来自Ｐｄ－Ｎｉ合金层的Ｎｉ离子起陷阱作用。外金层协作增强Ｐｄ层质量。软金沉积层上的Ｐｄ１～５微英寸、Ｐｄ－Ｎｉ合金层４～１００微英寸、Ｐｄ层１～１００微英寸、而外金层１～１００微英寸。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 集成电路 接触 引线 封装 | ||
【主权项】：
1.一种提供和集成电路器件的电接触的引线架包括基底金属，在该基底金属上的镍层以及在镍层上沉积的复合金属层，所述复合层包括钯镍合金层，其厚度至少足以减缓基底金属向引线表面的扩散并且，其特征在于，从镍层起依次为内部钯成软金层，所述钯镍合金层镍的重量占10％-90％，外部钯层，和外部金层，其中所述内部钯成软金层的厚度至少为25nm，所述外部钯层的厚度至少为25nm并且所述外部金层的厚度至少为25nm。
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