[发明专利]提供和集成电路的电接触的引线架和集成电路封装

权利要求书

1.一种提供和集成电路器件的电接触的引线架包括基底金属，在该基底金属上的镍层以及在镍层上沉积的复合金属层，所述复合层包括钯镍合金层，其厚度至少足以减缓基底金属向引线表面的扩散并且，其特征在于，从镍层起依次为内部钯成软金层，所述钯镍合金层镍的重量占10％-90％，外部钯层，和外部金层，其中所述内部钯成软金层的厚度至少为25nm，所述外部钯层的厚度至少为25nm并且所述外部金层的厚度至少为25nm。

2.权利要求1的引线架，其中所述复合层沉积的总厚度为255到7620nm。

3.权利要求1的引线架，其中所述复合层沉积的最小厚度至少为250nm。

4.权利要求1的引线架，其中所述钯镍合金层的厚度至少为100nm。

5.权利要求1的引线架，其中为了在250℃及更低的温度下使用，所述内部钯层的厚度至少为75nm，所述钯镍合金层的厚度至少为100mm，所述外部钯层的厚度至少为75nm，并且所述外部金层的厚度至少为25nm。

6.权利要求1的引线架，其中为了在450℃及更高的温度下使用，所述内部钯或软金层在25nm-125nm的范围内，而所述钯镍合金层，所述外部钯层和所述外部金层的厚度每个在至少500-760nm的范围内。

7.权利要求1的引线架，其中所述基底金属包括铜而所述钯镍合金包括20重量百分比的镍。

8.IC封装包括至少一个IC单元，而根据权利要求1-7任意之一的引线架被封在保护封装内。