[发明专利]氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94106935.4 | 申请日： | 1994-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1046375C | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0224;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件具有在基片上形成的氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层、及接连该半导体层形成的欧姆电极。欧姆电极包含金属材料，经退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第1及第2主面的基片、在该基片的第1主面上形成的、包含n型氮化镓系III-V族化合物半导体层及p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构、连接该n型半导体层而形成的第1电极、以及连接该p型半导体层而形成的第2电极，其特征在于：所述第2电极为透光性的电极，且包含厚度为0.001μm-1μm的金属材料。
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