[发明专利]氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：

具有第1及第2主面的基片、

在该基片的第1主面上形成的、包含n型氮化镓系III-V族化合物半导体层及p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构、

连接该n型半导体层而形成的第1电极、以及

连接该p型半导体层而形成的第2电极，

其特征在于：所述第2电极为透光性的电极，且包含厚度为0.001μm-1μm的金属材料。

2.权利要求1记载的器件，其特征在于：能从该基片的第1主面一侧观测由该器件所发出的光。

3.权利要求1记载的器件，其特征在于：所述的第2电极是用包含从金、镍、铂、铝、锡、铟、铬及钛组成的组中选出的至少一种金属的金属材料形成的。

4.权利要求1记载的器件，其特征在于：所述的第2电极是用包含由铬、镍、金、钛及铂组成的组中选出的至少2种金属的金属材料形成的。

5.权利要求1记载的器件，其特征在于：所述的第2电极是用金及镍构成的金属材料形成的。

6.权利要求5记载的器件，其特征在于：所述第2电极是由连接该p型半导体层形成的镍层与在其上形成的金层构成的。

7.权利要求1记载的器件，其特征在于：所述的笫2电极在400℃以上的温度下退火。

8.权利要求1记载的器件，其特征在于：该器件还包括在该基片的笫2主面支持该器件的引线架。

9.权利要求1记载的器件，其特征在于：还包括与该第2电极电连接的、用于与焊丝焊接的焊盘。

10.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是仅由金或由包含金而不含铝或铬的至少2种以上的金属构成的金属材料形成的。

11.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是由包含金与由钛、镍、铟及铂中至少1种金属的金属材料形成的。

12.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是由与所述笫2电极相同的材料形成的。

13.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是由与第2电极直接相接的镍层及在其上形成的金层构成的。

14.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的第2电极具有部分露出该p型半导体层表面的切口、所述的切口被所述的焊盘填充。

15.权利要求14记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是由比所述的第2电极更牢固地与p型半导体层粘结的金属材料形成的。

16.权利要求15记载的器件，其特征在于：所述的焊盘是仅由铝或由从铬、铝及金中选出的至少2种金属构成的金属材料形成的。

17.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述的焊盘被设置在距所述笫1电极最远的位置。

18.权利要求1记载的器件，其特征在于：还具有覆盖在所述的第2电极上由透明绝缘材料形成的保护膜。

19.权利要求18记载的器件，其特征在于：所述保护膜是由氧化硅、氧化铝、氧化钛或氮化硅形成的。

20.权利要求18记载的器件，其特征在于：所述保护膜也覆盖在笫1电极的表面上。

21.权利要求9记载的器件，其特征在于：所述第1电极和所述焊盘设置在矩形对角线上互相隔开一定距离的位置上。

22.权利要求9记载的器件，其特征在于：还具有覆盖在所述的笫2电极和所述的焊盘上、由透明绝缘性材料形成的保护膜。

23.权利要求22记载的器件，其特征在于：所述的保护膜是由氧化硅、氧化铝、氧化钛或氮化硅形成的。

24.权利要求22记载的器件，其特征在于：所述的保护膜也覆盖在第1电极的表面上。