[发明专利]粉碎半导体材料的方法无效
| 申请号： | 94105732.1 | 申请日： | 1994-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1033952C | 公开（公告）日： | 1997-02-05 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨·科普尔;马托斯·尚茨 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/06 | 分类号： | B02C19/06;B02C19/18;B02C18/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种无污染半导体材料的粉碎方法及实现该方法的装置。所述的方法包括至少产生一种液体射流，该射流是通过向液体施加压力而产生并且经由喷嘴喷出；和导引液体射流以高速冲击半导体材料表面。所述的装置包括用于接收已粉碎的半导体材料的容器；至少一个喷嘴，液体射流通过该喷嘴以高速冲击要被粉碎的半导体材料；推进装置，用于从容器中移走已粉碎的半导体材料；释放和中断液体射流的装置及固定喷嘴及/或推进半导体材料的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 粉碎 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无污染粉碎半导体材料的方法，所述的材料包括一个表面，该方法包括至少产生一种液体射流，该液体射流是通过给液体加压，使之通过喷嘴而得到的；将该半导体材料置于一支撑面上；将此液体射流导向半导体材料，以便以高速冲击半导体材料的表面；且，其中，该半导体材料选自硅、砷化锗或砷化镓。
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