[发明专利]粉碎半导体材料的方法无效
| 申请号： | 94105732.1 | 申请日： | 1994-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1033952C | 公开（公告）日： | 1997-02-05 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨·科普尔;马托斯·尚茨 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/06 | 分类号： | B02C19/06;B02C19/18;B02C18/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粉碎 半导体材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种无污染粉碎半导体材料的方法，所述的材料包括一个表面，该方法包括至少产生一种液体射流，该液体射流是通过给液体加压，使之通过喷嘴而得到的；
将该半导体材料置于一支撑面上；
将此液体射流导向半导体材料，以便以高速冲击半导体材料的表面；且，
其中，该半导体材料选自硅、砷化锗或砷化镓。
2、如权利要求1所述的方法，其中施加于液体的压力是500-5000巴。
3、如权利要求2所述的方法，其中施加于液体的压力是1000-4000巴。
4、如权利要求1所述的方法，其中被导向半导体材料的液体射流是以30-90°的角度冲击半导体材料的表面。
5、如权利要求1所述的方法，其中离开喷嘴的液体射流的横截面积是0.005-20mm2。
6、如权利要求1所述的方法，其中所述的液体射流被间歇性地被阻断，射流脉冲周期为0.5-5秒。
7、如权利要求1所述的方法，其中液体射流发出的部位与半导体材料间有一定的距离，此距离不超过150mm。
8、如权利要求1所述的方法，其中，液体射流为水，清洁性或蚀刻性的水溶液，或一种有机溶剂或溶剂混合物。
9、如权利要求1所述的方法，其中2到5种液体射流从不同方向被导向半导体材料。
10、如权利要求1所述的方法，其中棒形半导体材料或小块、大块的半导体材料被粉碎。
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