[发明专利]半导体器件和晶体管无效
| 申请号： | 94104268.5 | 申请日： | 1994-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1095204C | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;高山彻;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/772;H01L21/336;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括使非晶硅膜结晶化；在其上形成棚绝缘膜和棚电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一半导体层，具一定的结晶度，在一衬底上形成；一对P型或N型导电性的杂质区，在所述半导体层中形成，该一对杂质区含有杂质；其特征在于，所述半导体层含浓度不高于1×1020原子/立方厘米的催化剂，供催化半导体层的晶化过程用；且其中之一所述杂质区的内部边缘实质上与栅极的一个边缘在一条直线上。
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