[发明专利]半导体器件和晶体管

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

一半导体层，具一定的结晶度，在一衬底上形成；

一对P型或N型导电性的杂质区，在所述半导体层中形成，该一对杂质区含有杂质；

其特征在于，所述半导体层含浓度不高于1×10²⁰原子/立方厘米的催化剂，供催化半导体层的晶化过程用；且

其中之一所述杂质区的内部边缘实质上与栅极的一个边缘在一条直线上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述催化剂是金属，是镍、铁、钴或铂的至少一种金属。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其特征在于，所述半导体层，具有至少一个第一区和一个第二区，在半导体层的第一区和第二区之间形成一个结，所述第一区的导电性是本征导电性，所述第二区是一个杂质区。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其特征在于，所述催化剂用于提高所述P型或N型杂质的活性。

5.一种晶体管，包括：

一栅极；

一栅绝缘膜，毗邻所述栅极配置；

一半导体层，毗邻所述栅绝缘膜配置；

一对杂质区，在所述半导体层中形成，区中含有杂质和供加速晶化过程的催化物质；

一有源区，装在所述一对杂质区之间；

其特征在于，所述催化物质以不高于1×10²⁰原子/立方厘米的浓度包含在所述杂质区中；且

其中之一所述杂质区的一个内部边缘与所述栅极的至少一个边缘实质上在一条直线上。

6.权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述催化物质是金属，是镍、铁、钴或铂的至少一种金属。

7.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述催化物质在所述杂质区中的浓度为在所述有源区中的10倍或更高。

8.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述有源区实质上由非晶硅制成。

9.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述杂质区为源区和漏区。

10.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述杂质区由同一导电类型的结晶半导体材料构成。

11.如权利要求5所述的晶体管，

其特征在于，所述杂质区中包含的所述催化物质，其浓度不低于1×10¹⁷原子/立方厘米。

12.如权利要求11所述的晶体管，其特征在于，所述催化物质的浓度以二次离子质谱法测出的测定值作为最小值。

13.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述半导体层是一晶体硅膜；

所述一对杂质区是一个源区和一个漏区，源区和漏区中分别含有杂质，所述有源区设在所述源区与所述漏区之间；

所述源区和所述漏区含浓度高于1×10¹⁷原子/立方厘米的催化物质，用于加速晶化过程，所述有源区含浓度低于1×10¹⁷原子/立方厘米的催化物质。

14.如权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述半导体层是一个晶体硅膜，设在一个衬底上，且有一个源区和一个漏区分别含有杂质；

所述晶体硅膜有一个实质上与所述栅极等长的区，区中含有浓度低于所述源区和所述漏区的催化物质，用于加速晶化过程。