[发明专利]电可擦可编程只读存储器,有其之存储器件和集成电路板无效
| 申请号: | 94101949.7 | 申请日: | 1994-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN1054945C | 公开(公告)日: | 2000-07-26 |
| 发明(设计)人: | 矢岛信二;道山淳儿;池田信行 | 申请(专利权)人: | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在一种EEPROM中,存储单元晶体管MTi到MTn的源极电极S通过晶体管MG1到MGn接地。源极电极S相互分开,以便即使当存储单元晶体管MTi在写状态(低阈值电压)下形成一泄漏通道时也保持存储单元晶体管MT1到MTn的每一个的源极电极S为开路状态。在该EEPROM电路中,能够获得不进行擦除操作就能够连续地进行写操作的一EPROM电路。此外,还能够提供具有不可擦除区域(起EPROM作用的区域)和可擦除区域(起EEPROM作用的区域)的一EEPROM电路。 | ||
| 搜索关键词: | 电可擦 可编程 只读存储器 存储 器件 集成 电路板 | ||
【主权项】:
1.一种EEPROM电路,其特征在于包括:排成行和列的多个非易失存储单元晶体管;栅极电位改变装置,用来改变多个非易失存储单元晶体管的栅极电位;多条位线,分别与多个非易失存储单元晶体管的漏极电极连接;多个第一开关元件,每一个在漏极电极和多条位线之间形成,用来根据第一信号选择漏极电极和多条位线之间的电连接和电断开;具有固定电位的端子;多个第二开关元件,每一个分别与多个非易失存储单元晶体管的源极电极连接,根据第二信号选择源极电极和具有固定电位的端子之间的电连接和电断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





