[发明专利]电可擦可编程只读存储器,有其之存储器件和集成电路板无效
| 申请号: | 94101949.7 | 申请日: | 1994-01-28 | 
| 公开(公告)号: | CN1054945C | 公开(公告)日: | 2000-07-26 | 
| 发明(设计)人: | 矢岛信二;道山淳儿;池田信行 | 申请(专利权)人: | 松下电子工业株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,王忠忠 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电可擦 可编程 只读存储器 存储 器件 集成 电路板 | ||
1.一种EEPROM电路,其特征在于包括:
排成行和列的多个非易失存储单元晶体管;
栅极电位改变装置,用来改变多个非易失存储单元晶体管的栅极电位;
多条位线,分别与多个非易失存储单元晶体管的漏极电极连接;
多个第一开关元件,每一个在漏极电极和多条位线之间形成,用来根据第一信号选择漏极电极和多条位线之间的电连接和电断开;
具有固定电位的端子;
多个第二开关元件,每一个分别与多个非易失存储单元晶体管的源极电极连接,根据第二信号选择源极电极和具有固定电位的端子之间的电连接和电断开。
2.按权利要求1的一种EEPROM电路,其特征在于端子被接地。
3.按权利要求1的一种EEPROM电路,其特征在于多个第一开关元件的每一个是具有栅极电极、源极电极和漏极电极的晶体管,其中,
每个源极电极与多个非易失存储单元晶体管的漏极电极的相应一个连接;
每个漏极电极与多条位线的相应一条连接;
每个栅极电极接收第一信号并根据第一信号控制源极电极和漏极电极之间的电连接和电断开。
4.按权利要求3的一种EEPROM电路,其特征在于还包括多条字线,其中,多个第一开关元件栅极电极的每一个与多条字线的相应一条连接,第一信号在该条字线上传送。
5.按权利要求1的一种EEPROM电路,其特征在于多个第二开关元件的每一个是具有栅极电极、漏极电极和源极电极的晶体管,其中,
每个源极电极与端子连接;
每个漏极与多个非易失存储单元晶体管的源极电极的相应的一个连接;
每个栅极电极接收第二信号并根据第二信号控制源极电极和漏极电极之间的电连接和电断开。
6.按权利要求5的一种EEPROM电路,其特征在于还包括一控制信号线,其中,多个第二开关元件的栅极电极与该控制信号线连接,第二信号在该控制信号线上传送。
7.按权利要求1的一种EEPROM电路,其中栅极电位改变装置包括:
在多个非易失存储单元晶体管的栅极电极连接的一页面线,以及
在栅极电极和该页面线之间形成的一第三开关元件,该第三开关元件根据第一信号选择栅极电极和页面线之间的电连接和电断开。
8.按权利要求7的一种EEPROM电路,其特征在于第三开关元件的具有栅极电极、源极电极和漏极电极的晶体管,
源极电极与多个非易失存储单元晶体管的相应栅极电极连接;
漏极电极与页面线连接;
栅极电极接收第一信号并根据第一信号控制源电极和漏极电极之间的电连续性和电不连续性。
9.按权利要求7的一种EEPROM电路,其特征在于还包括多条字线,其中,第三开关元件的栅极电极与多条字线的相应一个连接,第一信号在该条字线上传送。
10.一种包括权利要求1所述EEPROM电路的存储器件,其特征在于EEPROM电路被分为可擦除部分和不可擦除部分,存储器部件还包括一地址判断部分,它根据地址信号判断由地址信号表示的地址被包括在可擦除区域还是被包括在不可擦除区域,并根据判断结果产生一判断信号;以及
一控制部分,它从地址判断部分接收该判断信号,在地址被包括在EEPROM电路的可擦除区域时连续地输出进行擦除操作和写操作的信号,在地址被包括在不可擦除区域时,输出进行写操作的信号而不输出进行擦除操作的信号。
11.按权利要求10的一种存储器件,其特征在于栅极电位改变装置在接收到进行擦除操作的信号时,将存储单元晶体管的栅极电位改变为逻辑高电平,而当接收到进行写操作的信号时,栅极电位改变装将该栅极电位改变为逻辑低电平。
12.按权利要求10或11的存储器件,其特征在于,还包括一测试部分,不管由地址信号表示的地址被包括在EEPROM电路的可擦除区域中还是被包括在该电路的不可擦除区域中,它都输出进行擦除操作的信号给该控制部分。
13.一种EEPROM电路,其特征在于,包括:
排成行和列的多个非易失存储单元晶体管;
多条位线,分别与多个非易失存储单元晶体管的漏极电极连接;
多个第一开关元件,每一个在漏极电极和多条位线之间形成,用来根据第一信号选择漏极电极和多条位线之间的电连续性和电不连续性;
具有固定电位的端子;
多个第二开关元件,分别与多个非易失存储单元晶体管的源极电极连接,根据第二信号选择源极电极和具有固定电位的端子之间的电连续性的电不连续性;
一页面线,与多个非易失存储单元晶体管的栅极电极连接;
一第三开关元件,在栅极电极和该页面线之间形成,根据第一信号选择栅极电极和该页面线之间的电连续性的电不连续性;
一控制信号线;以及
多条字线,
其中,多个第一开关元件的每一个具有栅极电极、源极电极和漏极电极的晶体管,其中每个源极电极与多个非易失存储单元晶体管漏极电极的相应一个连接;每个漏极电极与多条位线的相应一条连接;每个栅极电极与多条字线的相应一条连接,并接收在该条字线上传送的第一信号,多个第一开关元件每一个根据第一信号控制源极电极和漏极电极之间的电连续性和电不连续性;
多个第二开关元件的每一个是具有栅极电极、源极电极和漏极电极的晶体管,其中每个源极电极与端子连接;每个漏极电极与多个非易失存储单元晶体管的源极电极的相应一个连接;每个栅极电极与控制信号线连接,多个第二开关元件的每一个接收在该控制信号线上传送的第二信号,并根据第二信号控制源极电极和漏极电极之间的电连续性和电不连续性;以及
第三开关元件是具有栅极电极、源极电极和漏极电极的晶体管,其中,源极电极与多个非易失存储单元晶体管栅极电极的相应一个连接;漏极电极与页面线连接;栅极电极与多条字线的相应一条连接,第三开关元件接收在该条字线上传送的第一信号,并根据第一信号控制源极电极和漏极电极之间的电连续性和电不连续性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





