[发明专利]双元件磁阻读出头无效
| 申请号： | 93114800.6 | 申请日： | 1993-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1087194A | 公开（公告）日： | 1994-05-25 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·A·内皮拉;埃里奇·P·瓦斯泰恩 | 申请（专利权）人： | 里德-莱特公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种读/写磁头包括一个双元件磁阻读出头和一个叠置的感应式磁头。磁阻读出器的结构包括两个间隔开的磁阻元件，在这两个元件上淀积着反铁磁(AFe)薄膜，最好为铁锰薄膜。反铁磁薄膜作为磁阻元件的交换偏置磁层，以相反方向并垂直于磁介质表面偏置磁阻层。差动地读出所记录的磁信号，并且输出信号的特点在于增加了幅度和提高信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 磁阻 读出 | ||
【主权项】：
1、一种读出记录在磁介质上的信号的信号读出头，包括：第一和第二磁阻元件；分别淀积在所述第一和第二磁阻元件上的第一和第二反铁磁薄膜；布置在所述第一和第二磁阻元件之间的一个绝缘层。
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