[发明专利]双元件磁阻读出头无效
| 申请号： | 93114800.6 | 申请日： | 1993-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1087194A | 公开（公告）日： | 1994-05-25 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·A·内皮拉;埃里奇·P·瓦斯泰恩 | 申请（专利权）人： | 里德-莱特公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元件 磁阻 读出 | ||
【权利要求书】：
1、一种读出记录在磁介质上的信号的信号读出头，包括：
第一和第二磁阻元件；
分别淀积在所述第一和第二磁阻元件上的第一和第二反铁磁薄膜；
布置在所述第一和第二磁阻元件之间的一个绝缘层。
2、根据权利要求1所述的读出头，包括软磁罩，所述元件靠近所述罩布置。
3、根据权利要求2所述的读出头，其中，所述软磁罩由坡莫合金制成，每个厚度约为2.5微米。
4、根据权利要求1所述的读出头，其中，所述的反铁磁薄膜由铁锰合金制成。
5、根据权利要求4所述的读出头，其中，所述的反铁磁薄膜厚度约为100-300埃。
6、根据权利要求1所述的读出头，其中，所述反铁磁薄膜与所述的磁阻元件同时扩展。
7、根据权利要求1所述的读出头，其中，所述第一和第二磁阻元件大体上具有相同的厚度。
8、根据权利要求7所述的读出头，其中，所述磁阻元件每个厚度约100-500埃。
9、根据权利要求1所述的读出头，其中，所述的反铁磁薄膜为所述磁阻元件提供交换偏转磁场，磁场方向大体上与所述磁介质表面垂直。
10、一种记录和读出磁介质上信号的读/写磁头，包括：
一个具有多个隔开的磁阻元件和淀积在所述磁阻元件上的多个反铁磁元件的磁阻读出头;
一个在所述读出头上形成的感应式写入头。
11、根据权利要求10所述的读/写磁头，其中，所述元件是薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于里德-莱特公司，未经里德-莱特公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/93114800.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：盒式清洗装置
- 下一篇：改善压敏粘合剂在低于0温度下的性能的方法
