[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 93114663.1 | 申请日： | 1993-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1041872C | 公开（公告）日： | 1999-01-27 |
| 发明（设计）人： | 竹村保彦;张宏勇;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒,肖掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以增加硅化物膜减少源和漏间电阻的薄膜晶体管器件，通过在硅基片上形成栅绝缘膜和栅极接触区、用阳极氧化栅极接触区、用金属覆盖已露出的硅半导体表面和从上面或绝缘基片侧以激光等强光照射金属膜使金属涂层与硅反应以获得硅化物膜的工艺来制造。金属硅化物层还可通过紧密粘附一金属涂层到已露出的源和漏区，使用形状近似三角形、宽度最好是１μｍ或更小的绝缘体，和使金属与硅起反应而得到。于是能获得一种性能优良的ＴＦＴ。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：一基片；在所述基片上形成的一层绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的一对半导体掺杂区，具有杂质的导电类型；在所述一对半导体掺杂区之间延伸的一个半导体沟道区；在所述半导体沟道区上形成的一层栅极绝缘膜；由形成在所述栅极绝缘膜上金属构成的栅电极；和与所述半导体掺杂区接触的一对金属硅化物区，该半导体器件的特征在于，所述栅电极被一层氧化物绝缘膜覆盖，该氧化物绝缘膜是由所述栅电极表面氧化而形成的。
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