[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体器件，包括：

一基片；

在所述基片上形成的一层绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成的一对半导体掺杂区，具有杂质的导电类型；

在所述一对半导体掺杂区之间延伸的一个半导体沟道区；

在所述半导体沟道区上形成的一层栅极绝缘膜；

由形成在所述栅极绝缘膜上金属构成的栅电极；和

与所述半导体掺杂区接触的一对金属硅化物区，

该半导体器件的特征在于，所述栅电极被一层氧化物绝缘膜覆盖，该氧化物绝缘膜是由所述栅电极表面氧化而形成的。

2．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括：

靠近所述栅电极对侧设置的一对侧壁绝缘体；并且其中

所述金属硅化物区的里边与所述侧壁绝缘体的外边对准，和

所述氧化物绝缘膜插在所述栅电极与所述侧壁绝缘体之间。

3．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述沟道区与所述一对半导体掺杂区之间的每一边界与一阳极氧化物层的侧边基本上对准。

4．如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述沟道区与所述一对半导体掺杂区之间的每一边界与所述氧化物绝缘膜的外边基本上对准。

5．如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极绝缘膜延伸到所述氧化物绝缘膜外边之外，使所述侧壁绝缘体与所述半导体掺杂区隔离开来。

6．如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极由铝构成。

7如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物绝缘膜是由所述栅电极表面阳极氧化而形成的。

8．一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在一绝缘表面上形成含硅的半导体层；

在所述半导体层上形成一层栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成由一金属构成的栅电极；

使所述栅电极的暴露表面氧化以在其上形成一层氧化物绝缘膜；

除去所述栅极绝缘膜的一部分，以通过用所述栅电极和所述栅极绝缘膜作掩膜进行蚀刻而暴露出源区和漏区的表面；

在所述半导体层上方形成一金属膜，使该半导体层的暴露表面直接与所述金属膜接触；

使所述金属膜退火，以通过使其与所述半导体层的暴露表面合金化而形成金属硅化物区；和

在形成所述金属硅化物区之后，通过蚀刻除去所述金属膜的不需要部分；

该方法的特征在于，在除去所述金属膜的不需要部分过程中，以所述氧化物绝缘膜来保护所述栅电极不被蚀刻掉。

9．如权利要求8所述的方法，其特征在于还包括以下步骤：

在所述栅电极与所述氧化物绝缘膜之间的其两侧上形成侧隔片；和

除用所述栅电极和所述栅极绝缘膜之外还用所述侧隔片作掩膜除去所述栅绝缘的几部分，以暴露所述半导体层的表面。

10．如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述退火是以光照射来进行的。

11．如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，还包括用所述栅电极作掩膜以形成源区和漏区的步骤。

12．如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，还包括用所述栅电极和氧化物绝缘膜作掩膜以形成源区和漏区的步骤。

13．如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述的光是脉冲激光。

14．如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述氧化物绝缘膜是以阳极氧化而形成的。