[发明专利]改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及制备方法无效
申请号: | 93112369.0 | 申请日: | 1993-03-16 |
公开(公告)号: | CN1031537C | 公开(公告)日: | 1996-04-10 |
发明(设计)人: | 李承恩;卢永康;周家光;王志超;朱为民;赵梅瑜;倪焕尧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01L41/22;H01B3/12;C04B35/00 |
代理公司: | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人: | 聂淑仪 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷,属于陶瓷制备领域。其特点是在配方Pb1-xMexNb2O6+Yy中,x、y的量较小,而工艺性良好其压电性能优于纯的PbNb2O6陶瓷;居里温度为555-570℃,接近或等于纯PbNb2O6居里温度(570℃);不需要用特殊的工艺与技术(如热压与淬冷等),即可制得各种形状与大小(线度为0.2-200mm的压电元件,并可以在室温400℃范围内反复或长期使用。该材料可作成各种压电传感器,在高温条件下的测量与自动控制方面得到广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 改性 偏铌酸铅 高温 压电 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料,其基料配方为Pb1-xMexNb2O6+Yy,式中Me为置换物;Y为添加物,其特征在于:(1)置换物Me是Ca++、Ba2+,其中0.00<X<0.10(2)添加物Y为稀土金属氧化物为主的氧化物,量y=0.05~0.30wt%
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