[发明专利]改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及制备方法无效
| 申请号： | 93112369.0 | 申请日： | 1993-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1031537C | 公开（公告）日： | 1996-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李承恩;卢永康;周家光;王志超;朱为民;赵梅瑜;倪焕尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/22;H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改性 偏铌酸铅 高温 压电 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料，其基料配方为Pb1-xMexNb2O6+Yy，式中Me为置换物；Y为添加物，其特征在于：
(1)置换物Me是Ca++、Ba2+，其中0.00＜X＜0.10
(2)添加物Y为稀土金属氧化物为主的氧化物，量y＝0.05～0.30wt％
2.按权利要求1所述的改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料，其特征在于添加物Y为稀土金属氧化物为主的氧化物是Sm2O3、CeO2、Nd2O或TeO2。
3.一种制备如权利要求1所述的改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料的方法，包括合成、烧结、极化工艺，其特征在于：
(1)合成温度为800℃/2小时
(2)烧结时间为20-30分钟
(3)极化温度为180℃
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