[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池无效

专利信息
申请号: 92115359.7 申请日: 1992-12-24
公开(公告)号: CN1031968C 公开(公告)日: 1996-06-05
发明(设计)人: 鲁道夫·赫策尔 申请(专利权)人: 鲁道夫·赫策尔
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/28;H01L31/06;H01L31/0224;H01L31/0236
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,王忠忠
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种太阳能电池(10),具有至少一个半导体衬底表面(12),其上设有升高部分(24,26,28),在升高部分上构成导出载流子的导电接触层(20),并至少在导电接触层之间覆盖一层钝化材料(16)。为了能用简单的工艺制造高效率的太阳能电池,在构成升高部分后将半导体衬底表面全面地或绝大程度全面地用钝化材料覆盖。然后去除掉升高部分上的钝化材料及必要时除去其上的半导体材料。随后在升高部分裸露区域上设置形成导电接触层的材料。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制造 方法 及其
【主权项】:
1.太阳能电池(10,46,80,82,94,124,144,210,236,258),包括一种半导体衬底(12,110,126,146,160,212,238),在其中由射入的光能产生载流子,后者能通过一个电场被分开而然后经由导电接触层(20,40,42,44,100,102,114,130,156,164,218,230,254,257)被导出,其中:至少在一个半导体衬底表面上设有具有侧面(34,36,38)的升高部分(24,26,28,116,118,136,138,148,150,168,220,222,224,240,242,274)及在其上构成传导出载流子的导电接触层,该半导体衬底表面至少在接触层之间的区域上用构成一个钝化层(16,98,134,158,162,246,260,276)的钝化材料覆盖,及接触层设置在原先覆盖钝化层材料而后又从其上去除该钝化材料并在必要时也除去半导体材料的升高部分的顶部区域上,并且至少局部地延伸到侧面的钝化材料上,其特征在于:在升高部分(24,26,28,116,118,136,138,148,150,168,220,222,224,240,242,274)中的钝化层(16,98,134,158,162,246,260,276)至少局部地是一个做成平台状的区段(35,37,39,140),其侧面(34,36,38)从该区域延伸出来,且在在该区域中半导体材料或者一个设置在该材料上的层被裸露出来;以及构成导电接触层(20,40,42,44,100,102,114,130,156,164,218,230,254)的材料延伸在该平台区域上并且至少延伸到从平台区域延伸出的侧面的一个上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鲁道夫·赫策尔,未经鲁道夫·赫策尔许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/92115359.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top