[发明专利]一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池

权利要求书

1.太阳能电池(10，46，80，82，94，124，144，210，236，258)，包括一种半导体衬底(12，110，126，146，160，212，238)，在其中由射入的光能产生载流子，后者能通过一个电场被分开而然后经由导电接触层(20，40，42，44，100，102，114，130，156，164，218，230，254，257)被导出，其中：

至少在一个半导体衬底表面上设有具有侧面(34，36，38)的升高部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240，242，274)及在其上构成传导出载流子的导电接触层，

该半导体衬底表面至少在接触层之间的区域上用构成一个钝化层(16，98，134，158，162，246，260，276)的钝化材料覆盖，及

接触层设置在原先覆盖钝化层材料而后又从其上去除该钝化材料并在必要时也除去半导体材料的升高部分的顶部区域上，并且至少局部地延伸到侧面的钝化材料上，

其特征在于：在升高部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240，242，274)中的钝化层(16，98，134，158，162，246，260，276)至少局部地是一个做成平台状的区段(35，37，39，140)，其侧面(34，36，38)从该区域延伸出来，且在在该区域中半导体材料或者一个设置在该材料上的层被裸露出来；以及构成导电接触层(20，40，42，44，100，102，114，130，156，164，218，230，254)的材料延伸在该平台区域上并且至少延伸到从平台区域延伸出的侧面的一个上。

2.根据仅利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：升高部分(24，26，28)的侧面至少被逐段地构成凹状。

3.根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：接触区(20)具有的沿裸露半导体材料的横向延伸小于延侧面(34，36，38)的横向延伸。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：升高部分(24，26，28)彼此平行地或基本上彼此平行地延伸，并最好与沟形凹槽交界。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：升高区域(116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240，242)小面积地由从半导体衬底表面凸起的棱锥体或棱锥台、圆锥体或圆锥台或圆柱体构成的。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：太阳能电池的正面及背面上的每个面上均有彼此平行延伸的升高部分及凹槽；背面的升高部分或槽相对于正而的升高部分或槽具有偏离的路径，其中最好是这太阳能电池相对的两个面上的升高部分或槽是彼此垂直或基本上彼此垂直的。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：升高部分(92)和/或在其之间延伸的沟状凹槽在它们底部区域中构成网纹状结构。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：在条状的升高区域(24，26)之间的距离a为：30μm＜a＜2000μm，最好为50μm＜a＜300μm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：在升高部分(24，26，28)之间延伸的沟状凹槽(30，32)具有的深度t为：25μm＜t＜200μm。

10.根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：升高区域(24，26，28)间的距离a与槽(30，32)深度t的比例为：10＜a/t＜1.5。