[发明专利]低功率损耗的氧化物磁体材料和生产该材料的工艺无效

专利信息
申请号: 92105080.1 申请日: 1992-06-18
公开(公告)号: CN1071024A 公开(公告)日: 1993-04-14
发明(设计)人: 高桥史明;大桥渡;渡边宏二 申请(专利权)人: 新日本制铁株式会社
主分类号: H01F1/34 分类号: H01F1/34;C01G49/00;C04B35/38
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 徐汝巽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种氧化物磁体材料,其中的过氧量r由下述分子式确定,即Zna2+Mnb3+Mnc2+Fed2+Fee3+VCfO4+r2-式中,a+b+c+d+e+f=3+3/4r,r=3×10-3至10×10-3,Vcf是空位。该材料的组成为50至56%(按摩尔)的Fe2O3,25至40%(按摩尔)的Mn0和5至20%(按摩尔)的ZnO,最好从Ti、Li、Mg、Co、Ge、Sn、Si、Ca、V和Al的氧化物中选出至少一种氧化物加入到上述的混合物中,加入量在2%(按摩尔)之内。上述混合物在烧结炉中处理,根据温度依照公式lgPo2=A(1/T)+α改变氧气分压,然后将温度降至室温。
搜索关键词: 功率 损耗 氧化物 磁体 材料 生产 工艺
【主权项】:
1、一种氧化物磁体材料,由一种Mn-Zn铁氧体构成,该Mn-Zn铁氧体基本由50-56%(按摩尔)的Fe2O3,25至40%(按摩尔)的MnO和5至20%(按摩尔)的ZnO组成,而Fe2O3、MnO和ZnO的摩尔数量由Fe的总量、Mn的总量和Zn的问题折算而成,所说的铁氧体中的过氧数量由下述分子式所确定的r值决定,该分子式为:Zna2+Mnb3+Mnc2+Fed2++Fee3+VcfO4+r2-式中,a+b+c+d+e+f=3+3/4r,r=3×10-3至10×10-3,Vcf是空位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日本制铁株式会社,未经新日本制铁株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/92105080.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top