[发明专利]低阻抗过电压保护电路

摘要

低阻抗过电压保护电路，包括第一MOSFET，其漏极接输入信号，源极接第二MOSFET的漏极，第二MOSFET的源极接输出端。第一和第二MOFET的栅极接相对于输入信号值浮动的电压源，以保持各MOFET的栅极偏置到导通状态。浮动电压源浮动的最大和最小值由箝位二极管和箝位电压源确定。当输入信号超过所要求的正或负最大值时，第一或第二MOFET不再偏置到导通状态，于是相应的MOFET截止，将输入信号通过高阻抗分流，以限制输入电流并从输出端除去输入信号。

主权项

1.一种低阻抗过电压保护电路，其特征在于，它包括：一个低阻抗级，用以在正常情况下将来自输入端的输入信号耦合到输出端子上，所述低阻抗级有一控制端子；高阻抗装置，与所述低阻抗级的输入并联配置；箝位装置，与所述控制端子相耦合及响应输入信号，用以当所述输入信号超过预定电压范围时改变所述低阻抗级的导通状态，使得所述输入信号经过所述高阻抗装置而与所述低阻抗级旁路。