[发明专利]低阻抗过电压保护电路

权利要求书

1、一种低阻抗过电压保护电路，其特征在于，它包括：

一个低阻抗级，用以在正常情况下将来自输入端的输入信号耦合到输出端子上，所述低阻抗级有一控制端子；

高阻抗装置，与所述低阻抗级的输入并联配置；

箝位装置，与所述控制端子相耦合及响应输入信号，用以当所述输入信号超过预定电压范围时改变所述低阻抗级的导通状态，使得所述输入信号经过所述高阻抗装置而与所述低阻抗级旁路。

2、根据权利要求1的电路，其特征在于，所述电路还包括多个附加的低阻抗级，所述各低阻抗级串联配置，其中一些所述低阻抗级的输出端给以后各级提供输入，所述多个低阻抗级提供较高的电压处理能力。

3、根据权利要求1的电路，其特征在于，所述低阻抗级包括MOSFET，该MOSFET的漏极端子接受所述输入信号，该MOSFET的源极端子耦接所述输出端子。

4、根据权利要求3的电路，其特征在于，所述将低阻抗级切换成高阻抗状态的装置包括偏置装置，该偏置装置响应所述输入信号将所述MOSFET在信号超过一定的信号值时偏置成截止状态。

5、根据权利要求1电路，其特征在于，所述低阻级包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET的漏极端子接受所述输入信号，所述第一MOSFET的源极端子耦接所述第二MOSFET的漏极端子，所述第二MOSFET的源极端子耦接所述输出端子。

6、根据权利要求5的电路，其特征在于，所述将所述低阻抗级切换成高阻抗状态的装置包括偏置装置，所述偏置装置响应所述输入信号在正信号超过一定值时偏置所述第一MOSFET，使其进入截止状态，并在负信号超过一定值时偏置所述第二MOSFET，使其进入截止状态。

7、一种低阻抗过电压保护电路，具有输入端子和输出端子;

其特征在于，所述保护电路包括，

MOSFET，其漏极耦接所述输入端子，其源极耦接成为所述输出端子提供信号;

电阻装置，耦接在所述MOSFET的漏极与栅极之间;

偏置装置，耦接所述电阻装置和输出端子，用以将所述MOSFET偏置成正常导通的状态，并在所述输入端子的一定电压范围内使所述MOSFET上的偏压保持稳定;和

二极管箝位装置，耦接所述MOSFET的栅极，用以响应超过所述输入端的所述电压范围的输入信号改变所述MOSFET上的偏压，从而改变所述MOSFET的导通状态。

8、根据权利要求7的电路，其特征在于，它还包括放电装置，用以响应快速上升的输入信号使MOSFET的栅源电容放电，从而能使MOSFET快速转入不导通状态。

9、根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述偏置装置包括一个相对于所述电路的输出端子浮动的电压源。

10、一种低阻抗过电压保护电路，具有输入端子和输出端子，其特征在于，所述保护电路包括：

第一导纳装置，有一个低阻抗，并接受来自输入端子的输入信号，用以在输出端子上提供输出信号，所述第一导纳装置能切换到不导通状态;

第二导纳装置，有一个高阻抗;且与所述第一导纳装置并联地配置;以及

箝位装置，用以将所述第一导纳装置切换到不导通状态，从而将所述输入信号加到所述第二导纳装置上，所述箝位装置响应超过预定箝位电平的输入信号的电压电平。

11、根据权利要求10的电路，其特征在于，它还包括温度补偿装置，用以在环境温度的一定范围内保持电路的阻抗恒定。

12、根据权利要求10所述的电路，其特征在于，所述第一导纳装置包括MOSFET。

13、根据权利要求12的电路，其特征在于，所述将所述MOSFET切换成不导通状态的箝位装置包括放电装置，用以响应快速上升时间的输入信号将所述MOSFET的栅-源电容快速放电。

14、根据权利要求12的电路，其特征在于，所述将所述MOSFET进行切换的箝位装置包括偏置装置，用以将所述MOSFET偏置到导通状态，并用以在输入电压的一定范围内将所述MOSFET上的偏压保持稳定。

15、根据权利要求12的电路，其特征在于，所述切换所述MOSFET的箝位装置包括：

偏压源装置，该偏压源装置给所述MOSFET的栅极端子提供相对于输入信号电压电平的浮动偏压;和

偏压箝位装置，用以确定所述偏压浮动的最大值。