[发明专利]单晶硅生产设备无效
| 申请号： | 91102924.9 | 申请日： | 1991-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1056137A | 公开（公告）日： | 1991-11-13 |
| 发明（设计）人： | 兼头武;神尾宽 | 申请（专利权）人： | 日本钢管株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种单晶硅生产设备，用以按照坩埚旋转的切克劳斯基法高速提拉大直径单晶硅。该设计的特点在于，分隔件是坩埚式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于3毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的80％，分隔件的底部部分紧固在坩埚底部部分上，且分隔件支撑在圆柱形石英件上。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生产 设备 | ||
【主权项】：
1、一种单晶硅生产设备，包括：一装熔融硅的旋转式石英坩埚；一电阻式加热器，用以从石英坩埚的侧面加热石英坩埚；一石英分隔件，配置得使其将所述熔融硅分隔成在其内侧的单晶生长分区和在其外侧的原料熔融分区，所述分隔件上有许多小孔供所述熔融硅从其中通过；和原料进料装置，用以将原料硅连续提供给所述原料熔融分区中，所述设备的特征如下：所述分隔件是坩埚式的；所述分隔件的外表面紧固在所述石英坩埚的底部内表面上；且所述分隔件在所述熔融硅表面上方的壁厚为3毫米或以上，且小于所述分隔件在所述熔融硅表面下方平均壁厚值的80%。
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