[发明专利]应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀积薄膜的方法和装置

摘要

介绍一种用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积实用沉积膜的方法，该法包括沿长度连续移动含导电部件的带状部件的步骤，此间通过将移动式带状部件构成成膜空间侧壁，于其内建立起基本上可保持真空的柱状成膜空间；再通过送气装置向成膜空间充入用于成膜的原始气体；同时通过微波天线在所有垂直于微波运动的方向上辐射微波，由此向成膜空间提供微波功率，使在空间内激发起等离子体，从而将薄膜沉积在暴露于等离子体侧壁的连续移动的带状部件表面上。本文也介绍了实现该方法的装置。

主权项

1.采用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积沉积膜的方法，包括如下步骤：在沿其长度连续地传动一个含有导电构件的带状构件期间时，用该进行传动的带状构件作为膜形成空间的一个侧壁，建立起之中能够基本上保持真空的一个柱状膜形成空间；通过送气装置向该膜形成空间充入用于膜形成的原材料气体；通过在膜形成空间内的一个微波天线在所有方向同时辐射微波能量，所述微波天线包括一个能够提供用于在膜形成空间内产生等离子体的微波能量的微波轴线和一个中央导体分离装置，其能够传送所述微波能量并能够将轴线的中央导体与等离子体分开，所述微波在膜形成空间内基本上平行于膜形成空间地延伸，从而在膜形成空内产生等离子体，同时，将一个偏置电压施加到一个偏置供给装置以便根据等离子体的电位控制在膜形成空间内产生的等离子，并且所述偏置供给装置与所述带状构件分隔开地布置在所述膜形成空间中使得所述偏置供给装置的至少一部分接触到所述等离子体，借此在连续移动侧墙的内表面上连续地形成一沉积膜，所述侧墙包括暴露于所述等离子体的带状部件。