[发明专利]应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀积薄膜的方法和装置

权利要求书

1.采用微波等离子体CVD工艺连续形成大面积沉积膜的方法，包括如下步骤：

在沿其长度连续地传动一个含有导电构件的带状构件期间时，用该进行传动的带状构件作为膜形成空间的一个侧壁，建立起之中能够基本上保持真空的一个柱状膜形成空间；

通过送气装置向该膜形成空间充入用于膜形成的原材料气体；

通过在膜形成空间内的一个微波天线在所有方向同时辐射微波能量，所述微波天线包括一个能够提供用于在膜形成空间内产生等离子体的微波能量的微波轴线和一个中央导体分离装置，其能够传送所述微波能量并能够将轴线的中央导体与等离子体分开，所述微波在膜形成空间内基本上平行于膜形成空间地延伸，从而在膜形成空内产生等离子体，同时，将一个偏置电压施加到一个偏置供给装置以便根据等离子体的电位控制在膜形成空间内产生的等离子，并且所述偏置供给装置与所述带状构件分隔开地布置在所述膜形成空间中使得所述偏置供给装置的至少一部分接触到所述等离子体，借此在连续移动侧墙的内表面上连续地形成一沉积膜，所述侧墙包括暴露于所述等离子体的带状部件。

2.根据权利要求1的方法，其中在该带状构件的传动通路上，用一个弯曲起始边缘形成装置和一个弯曲终止边缘形成装置，将上述带状构件弯曲，同时，在该弯曲起始边缘形成装置和该弯曲终止边缘形成装置之间，留出一个沿着上述带状构件的长度上进行扩展的空间，因而形成该膜形成空间的侧壁。

3.根据权利要求2的方法，其中用一种线性膨胀系数比上述沉积膜要大的材料制作该带状构件；同时把弯曲部分的带状构件保持在一个比室温高的膜形成温度上，并且在该弯曲的带状构件的凹边上沉积薄膜；而后，将该带状构件冷却到室温，再将上述带状构件在该膜形成空间的外边展平并拿到该装置的外边来或者把上述带状构件卷成一个凸圈形并拿到该装置的外边来。

4.根据权利要求1的方法，其中通过带状构件的侧壁建立起的膜形成空间呈现一个柱状形式，而且将上述微波天线装置从该柱状膜形成空间的相对端面上伸向该膜形成空间，因此将上述微波天线装置与该膜形成空间相并列起来，从而向该膜形成空间供给微波功率。

5.根据权利要求4的方法，其中通过装配在微波天线装置与该膜形成空间之间的微波传输构件从该微波天线装置向该膜形成空间加给微波功率。

6.根据权利要求5的方法，其中通过该微波传输构件将上述微波天线装置与膜形成空间中激发起的等离子体分隔开。

7.根据权利要求1的方法，其中至少一部分接触到微波等离子体的偏置供给装置是由导电体制作的。

8.根据权利要求1的方法，其中该偏置电压是直流电压(DC)，脉冲的及/或(AC)交流的电压。

9.根据权利要求1的方法，其中上述偏置供给装置也有用作送气装置的功能。

10.根据权利要求9的方法，其中装有与上述送气装置分隔开的偏置供给装置。

11.根据权利要求10的方法，其中上述偏置供给装置由单个偏置棒构成或由多个偏置棒构成。

12.根据权利要求1的方法，其中通过加给该带状构件的偏置电压控制该等离子体电位。

13.根据权利要求12的方法，其中将该送气装置接地，至少将其一部分与微波等离子体相接触。

14.根据权利要求13的方法，其中至少接触该微波等离子体的一部分送气装置是由导电体制作的。

15.根据权利要求1的方法，其中该带状构件至少露向微波等离子体的一边是由导电体制作的。