[发明专利]碘化汞单晶体的制备方法无效
| 申请号： | 90106163.8 | 申请日： | 1990-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1061057A | 公开（公告）日： | 1992-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈观雄;李正辉;朱世富;银淑君;冉王俊;韩斌;赵北君 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司： | 四川大学专利事务所 | 代理人： | 刘双兰 |
| 地址： | 610064 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法，它将高纯碘化汞原料封入真空度为10-5Torr的玻璃生长安瓿，把安瓶瓿于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置，缓慢调节安瓿底部温度，逐渐达到晶体生长温度，使其自然成核，适当调节基座与源处的温度，使晶体不断长大，获得外形完整、质量优良的碘化汞单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、碘化汞单晶体的制备方法，将高纯碘化汞原料封入真空度为10-5Torr的玻璃生长安瓿，把安瓿置于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置，其特征在于缓慢调节安瓿底部的基座温度，以逐渐达到晶体生长温度～110℃，使其自然成核，在基座表面上生成一个籽晶，适当调节安瓿底部的基座温度或(和)源处温度，使源和晶体形成一定的温差，让晶体长大。
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