[发明专利]碘化汞单晶体的制备方法无效
| 申请号: | 90106163.8 | 申请日: | 1990-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN1061057A | 公开(公告)日: | 1992-05-13 |
| 发明(设计)人: | 陈观雄;李正辉;朱世富;银淑君;冉王俊;韩斌;赵北君 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司: | 四川大学专利事务所 | 代理人: | 刘双兰 |
| 地址: | 610064 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碘化 单晶体 制备 方法 | ||
1、碘化汞单晶体的制备方法,将高纯碘化汞原料封入真空度为10-5Torr的玻璃生长安瓿,把安瓿置于立式炉中,使安瓿慢速转动,加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置,其特征在于缓慢调节安瓿底部的基座温度,以逐渐达到晶体生长温度~110℃,使其自然成核,在基座表面上生成一个籽晶,适当调节安瓿底部的基座温度或(和)源处温度,使源和晶体形成一定的温差,让晶体长大。
2、根据权利要求1所说的制备方法,其特征在于调节安瓿底部基座温度或(和)源处温度的方法,可以采取分别或者同时降低安瓿底部的基座温度或(和)升高源处温度的方法,使源和晶体形成2-5℃的温差,让晶体长大。
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