[发明专利]一种温湿双功能敏感薄膜元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 90105203.5 申请日: 1989-12-26
公开(公告)号: CN1016896B 公开(公告)日: 1992-06-03
发明(设计)人: 茅有福;许德霖 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;H01L49/00
代理公司: 华东师范大学专利事务所 代理人: 俞允超,程宗德
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种由聚酰亚胺薄膜电容式湿敏元件和铝、钛双金属薄膜电阻式温敏元件结合组成的温、湿双功能敏感薄膜元件。这是在衬底硅片表面上先生长一层二氧化硅,然后用薄膜工艺,在二氧化硅绝缘层上先后淀积钛、铝、聚酰亚胺、金等各种薄膜,并用掩模板使薄膜形成微细图案。该敏感元件能同时检测环境中同一点的温度和湿度,并具有测量范围宽,线性度好,不需加热清洗、响应快、体积小等特点。在工农业生产、贮存、管理以及日常生活中有广泛应用前景。
搜索关键词: 一种 温湿 功能 敏感 薄膜 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种温、湿双功能敏感薄膜元件,所用芯片的结构为,以至少一边生长有二氧化硅绝缘层2的硅基片1作为衬底11,淀积在二氧化硅绝缘层2上的薄膜为钛膜3,淀积在钛膜3上的薄膜为铝膜4,由光刻蚀去部分钛、铝双层薄膜形成的、具有弯曲条状图案的电阻带为电阻式温敏元件,电阻式温敏元件的引出线分别从电阻带的两端引出,其特征在于,上述电阻带兼为下电极II9,与下电极II9同时形成的、镶嵌在下电极II9线条之间的、具有叉指状图案的电极为下电极I8,涂敷在二氧化硅绝缘层2空白部分、下电极I8和下电极II9上的薄膜为聚酰亚胺膜5,聚酰亚胺膜5的形状为遮盖住下电极I8、下电极II9和空出三个键压脚的矩形,淀积在聚酰亚胺膜5上,形状为边缘略小于聚酰亚胺膜5的矩形薄膜是作为上电极10的金膜6,上电极10分别与下电极I8、下电极II9各形成一个以聚酰亚胺膜5为介质的电容,两个电容通过上电极10串联起来,构成电容式湿敏元件,引出线分别从下电极I8和下电极II9引出,上电极10上无引出线。
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