[发明专利]一种温湿双功能敏感薄膜元件及其制造方法

权利要求书

1、一种温、湿双功能敏感薄膜元件，所用芯片的结构为，以至少一边生长有二氧化硅绝缘层2的硅基片1作为衬底11，淀积在二氧化硅绝缘层2上的薄膜为钛膜3，淀积在钛膜3上的薄膜为铝膜4，由光刻蚀去部分钛、铝双层薄膜形成的、具有弯曲条状图案的电阻带为电阻式温敏元件，电阻式温敏元件的引出线分别从电阻带的两端引出，其特征在于，上述电阻带兼为下电极Ⅱ9，与下电极Ⅱ9同时形成的、镶嵌在下电极Ⅱ9线条之间的、具有叉指状图案的电极为下电极Ⅰ8，涂敷在二氧化硅绝缘层2空白部分、下电极Ⅰ8和下电极Ⅱ9上的薄膜为聚酰亚胺膜5，聚酰亚胺膜5的形状为遮盖住下电极Ⅰ8、下电极Ⅱ9和空出三个键压脚的矩形，淀积在聚酰亚胺膜5上，形状为边缘略小于聚酰亚胺膜5的矩形薄膜是作为上电极10的金膜6，上电极10分别与下电极Ⅰ8、下电极Ⅱ9各形成一个以聚酰亚胺膜5为介质的电容，两个电容通过上电极10串联起来，构成电容式湿敏元件，引出线分别从下电极Ⅰ8和下电极Ⅱ9引出，上电极10上无引出线。

2、按权利要求1所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件，其特征在于湿敏元件由双电容串联而成，电容值在60-100PF之间。

3、按权利要求1所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，包括在高温氧化炉中，使抛光硅基片1的至少一边的表面生长一层二氧化硅绝缘层2，作为温、温双功能敏感薄膜元件的衬底11，在真空室中，在硅基片1的具有二氧化硅绝缘层2的一边真空淀积一层钛膜3，随后在所淀积的钛膜3上淀积一层铝膜4，其特征在于：

（1）将淀积成的钛、铝双层薄膜蚀刻成一个弯曲条状的下电极Ⅱ9和一个叉指状的下电极Ⅰ8，一个弯曲条状的下电极Ⅱ9又是温敏元件的电阻带，

（2）在已具有下电极Ⅰ8和下电极Ⅱ9的二氧化硅绝缘层2上涂上一层聚酰亚胺膜5，

（3）将聚酰亚胺膜5蚀刻成矩形状，遮盖住下电极Ⅰ8和下电极Ⅱ9，空出三个键压脚，

（4）在高温炉中，使硅基片1上的聚酰亚胺膜5烧结固化，

（5）在真空室中，在硅基片1具有聚酰亚胺膜5的一边，真空淀积一层金属6，

（6）将金膜6蚀刻成其边缘略小于聚酰亚胺膜5边缘的矩形，作为上电极10，制成了所需的芯片，

（7）将芯片粘接在金属管座上，连接键压脚与外引线7，使其电气连接，

（8）用有透气孔的金属管帽进行封装，

（9）测试，

（10）老化处理。

4、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，形成聚酰亚胺膜5的技术是甩胶法。

5、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，聚酰亚胺膜5的厚度为3000-6000埃。

6、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，聚酰亚胺膜5用光刻，等离子刻蚀技术形成尺寸为1.4×1.3mm的矩形。

7、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，聚酰亚胺膜5在纯度为99.99%的氮气高温炉中烧结固化，烧结的温度为250-300℃，时间1小时。

8、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，形成金膜6的真空淀积技术是电阻加热蒸发，电子束蒸发和溅射法中的一种方法。

9、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，淀积金膜6用的金的纯度高于99.97%。

10、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，真空淀积金膜6的真空度为10^-5-10^-6乇，硅基片1的加热温度为100-200℃。

11、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，所淀积的金膜6厚度为250-500埃。

12、按权利要求3所述的一种温、湿双功能敏感薄膜元件的制造方法，其特征在于，金膜6用光刻、腐蚀技术形成尺寸略小于1.4×1.3mm的矩形。