[发明专利]高密度动态随机存取存储单元

摘要

一种存储单元及制造该单元及其阵列的方法，该单元为沟道电容器型，基片的主表面上形成晶体管，在沟槽周围形成电容器。两者由隐埋的重掺杂区连接，该区的导电类型与基片相反。沟槽周围为掺杂存储区，其导电类型与重掺杂区同，沟槽中形成的场板延伸到各单元间的隔离区域并经电介质层与存储区隔离，故可使隔离区域最小，由隐埋的N+层连接晶体管的源极和隐埋的掺杂层，形成的侧壁氮化硅钝化线保护两多晶硅层的层间绝缘区的侧壁。

主权项

1、一种器件，其特征包括：在基片中形成的沟槽；在上述基片沟槽的壁上和在上述基片上形成的上述器件和其他器件之间的上述基片区域中的基片的表面上形成的第一绝缘层；在上述第一绝缘层上形成的场传导层(fieldconductivelayer)；上述基片上形成的漏极区域，上述漏极区域由一沟道区域与邻近上述场传导层的上述基片部分隔开；在邻近上述沟道区域的基片上形成的门极绝缘层；在上述门极绝缘层上形成的门极。