[发明专利]提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术在审
| 申请号： | 90102951.3 | 申请日： | 1990-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1060687A | 公开（公告）日： | 1992-04-29 |
| 发明（设计）人： | 谢幼玉;殷之文;魏宗英;沈定中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明用稀土氧化物Eu2O3掺杂BGO晶体，使该晶体的辐照损伤有很大改善。本技术简单可靠。铕掺杂BGO晶体的散射颗粒，透光特性，能量分辨率，光输出和均匀性与纯净晶体相似，但如果掺杂量稍大，荧光衰减就会产生一个时间常数为4mes的余辉。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 锗酸铋 bgo 晶体 辐照 损伤 技术 | ||
【主权项】：
1、一种提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤的技术，其特征在于：(1)制备用Eu2O3掺杂的BGO晶体掺杂量为1ppm-100ppm(2)制备待测试的BGO晶体(包括纯BGO晶体与掺杂的BGO晶体)二者加工成相同尺寸并六面抛光。(3)经Co60γ射线辐照，剂量为1000Rad。(4)分别测量二者的光输出(道数)：用多道辐射仪(IandG)能量分辨率%：同上透过率T%：用光谱仪
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/90102951.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
