[发明专利]高JcYBco超导体定向生长装置无效
| 申请号： | 90101046.4 | 申请日： | 1990-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1029807C | 公开（公告）日： | 1995-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘奉生;周廉;吴晓祖;牟慧麟;王天成 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业总公司专利事务所 | 代理人： | 王连发,李迎春 |
| 地址： | 陕西省宝鸡*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 目前，高JcYBCO超导体的制造，国内外都是采用H2-O2焰工艺、粉末烧结工艺、定向生长法。而定向生长装置是人们研究高Tc超导体材料所必需的定向生长装置。该装置是控制温度梯度、熔融温度、熔融时间和冷凝速率等熔融工艺参数的专用设备。该装置由三大部分组成(1)专用熔融炉；(2)加热温度自动控制部分，(3)提拉装置，其关键部分是专用熔融炉。用这种装置制备出的样品，在0T和1T下，Jc值分别达到11100A/厘米以上和～4000A/厘米2。 | ||
| 搜索关键词： | jcybco 超导体 定向 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高JcYBCO超导体定向生长装置，包括专用熔融炉、加热温度自动控制部分、提拉装置，其特征在于：专用熔融炉由一端与炉腔管配合的通氧管，外径与上、下炉盖孔洞相配合内径与通氧管相配合的炉腔管、孔洞与炉腔管外径相配合成弧形扣连在一起的上、下炉盖，并列安装于炉体内下部与下炉盖和炉腔管相接触的碳矽棒加热体，在炉腔管内的样品和夹持样品的样品夹组成。
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